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2024-05-25 发布于四川
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半导体结构和半导体结构的制造方法.pdf

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基底，基底上具有多个堆叠体和多个第一隔离层，且二者在第一方向上交替排列；堆叠体包括多层有源结构和多层第二隔离层，二者在第三方向上交替排列；有源结构内具有两个第一凹槽；在第三方向上，第一凹槽的厚度与有源结构的厚度相同；有源结构的在第一方向的相对两侧均具有一个电容，电容包括上电极、介质层和下电极；下电极位于第一凹槽的内壁；上电极位于相邻两个堆叠体之间，并与第一凹槽相对设置，上电极还贯穿第一隔离层；介质层位于下电极与

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118076093A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202211419426.1

(22)申请日2022.11.14

(71)申请人长鑫存储技术有限公司

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