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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底中具有阱区，阱区包括具有第一型掺杂离子的第一阱区和具有第二型掺杂离子的第二阱区，第一阱区和第二阱区相邻排布，第一型掺杂离子和第二型掺杂离子的导电类型不同；多个间隔排布设置的第一类重掺杂区，分别位于第一阱区和第二阱区中，第一类重掺杂区包括阳极重掺杂区和阴极重掺杂区，其中，阳极重掺杂区位于第一阱区中且具有第二型掺杂离子，阴极重掺杂区位于第二阱区中且具有第一型掺杂离子；第一隔离结构，位于第一阱区中且与阳极重掺杂区朝向第二阱区一侧的侧壁相触。本发明实
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073349A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211482846.4H01L29/74(2006.01)
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