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本发明涉及一种垂直电荷转移成像传感器及其形成方法，其中，半导体衬底中形成的深沟槽隔离包括形成于深沟槽内的沟槽电极，为垂直电荷转移成像传感器提供了一个可操作端；所述半导体衬底被分隔出多个用于形成像素的第一衬底单元和位于多个第一衬底单元之间的第二衬底单元，所述沟槽电极的连接端形成于第二衬底单元内，即位于像素之间，可以减小位于第一衬底单元周围的沟槽电极部分与接触端之间的电压降，避免成像不均，可提升成像品质；在感光过程中，通过在连接第一衬底单元的电极与沟槽电极之间施加正偏压，能够提高深沟槽隔离与第一衬底
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073375A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211476237.8
(22)申请日2022.11.23
(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
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