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本发明涉及半导体长晶技术领域,提供一种碳化硅单晶的生长方法。该方法包括:将第一碳化硅原料放入碳化硅单晶生长容器内,其中,在碳化硅单晶生长容器中的碳化硅原料的上表面为水平面;将第二碳化硅原料放入预设形状的容器内,进行焙烧成型后,设置在第一碳化硅原料的上表面,第二碳化硅原料用于增强原料中心区域的组分输运;对碳化硅单晶生长容器中的第一碳化硅原料和第二碳化硅原料进行加热,生成碳化硅单晶。本发明能够提高碳化硅单晶质量。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118064966A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410121424.7
(22)申请日2024.01.29
(71)申请人河北同光半导体股份有限公司
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