原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明实施例涉及一种具有应力变化补偿控制的半导体器件及封装结构。半导体器件封装结构包括：封装外壳，用于将半导体芯片封装在封装外壳内；压敏层，设置在半导体芯片的上表面和/或下表面；压敏层感受因温度变化引起的半导体芯片应力变化，输出压感信号；信号处理模块，包括信号预处理电路和压感信号处理电路；通过信号预处理电路对压感信号进行信号放大、滤波和转换处理，送入压感信号处理电路，在压感信号处理电路中进行比较处理和反馈调节，生成动态补偿信号；制冷制热控制电路，接收动态补偿信号，相应的生成制热控制信号或制冷控制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073294A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410216278.6
(22)申请日2024.02.27
(71)申请人东科半导体(安徽
文档评论（0）