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本发明提供一种屏蔽栅功率MOSFET及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成硬掩模层于外延层上并图形化，刻蚀外延层得到沟槽；去除硬掩模层，形成场氧层及屏蔽栅多晶硅层于沟槽中；回刻屏蔽栅多晶硅层至第一深度；将沟槽侧壁的场氧层的裸露部分减薄；回刻屏蔽栅多晶硅层至第二深度；对屏蔽栅多晶硅层的顶面进行离子注入；形成牺牲氧化层；去除场氧层的一部分及牺牲氧化层的一部分以显露沟槽位于第三深度以上的侧壁；形成栅氧化层于沟槽的裸露侧壁，并加厚牺牲氧化层；形成控制栅多晶硅层于沟槽中。本发明可在相对更低的成本下实现具有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073186A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211473886.2
(22)申请日2022.11.22
(71)申请人华润微电子（重庆）有限公司
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