一种孔隙可控的硅基负极材料及其制备方法和应用.pdfVIP

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2024-05-25 发布于四川
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一种孔隙可控的硅基负极材料及其制备方法和应用.pdf

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本发明公开了一种孔隙可控的硅基负极材料及其制备方法和应用，硅基负极材料包括:多孔氧化亚硅和掺杂元素；其中，多孔氧化亚硅的孔隙的孔径在1nm‑50nm之间；多孔氧化亚硅的孔隙是通过在制备氧化亚硅的过程中控制干扰方式形成；干扰方式包括：声波干扰、机械振动干扰、气流干扰中的一种或多种方式；多孔氧化亚硅的孔隙率在5％‑20％之间；掺杂元素均匀弥散分布于多孔氧化亚硅的孔隙内和基体中；掺杂元素的质量占硅基负极材料总质量的百分比为0‑15％；多孔氧化亚硅的质量占硅基负极材料总质量的百分比为85％‑100％；硅

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118073556A

(43)申请公布日2024.05.24

(21)申请号202211466285.9C01B33/113(2006.01)

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