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本申请实施例提供了一种半导体结构、半导体器件、电子设备及晶圆键合方法，晶圆键合方法包括：提供待键合的两个晶圆，每个晶圆包括衬底，两个衬底中至少一者的第一侧设有器件功能层；在两个晶圆上分别形成金属键合层，金属键合层设置在衬底的第一侧；在带金属键合层的两个晶圆中的至少一者上形成覆盖金属键合层的原始辅助键合层，得到处理后的两个晶圆；其中，原始辅助键合层为绝缘化合物；将处理后的两个晶圆进行贴合以使两晶圆上的金属键合层相对设置，并进行热处理，以使夹在两晶圆中对应设置的金属键合层之间的原始辅助键合层被还原为
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073307A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211474673.1
(22)申请日2022.11.23
(71)申请人华为技术有限公司
地址5181
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