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本发明公开了一种双面生长高面密度垂直阵列碳纳米管及其制备方法和应用，属于纳米材料制备技术领域，包括：1)采用激光刻蚀技术在金属基底表面刻蚀孔道结构，得到多孔金属基底A；2)将多孔金属基底清洗、烘干，在其表面沉积阻挡层得到多孔金属基底B；3)通过化学气相沉积方法，在催化剂作用下，于一定温度下保温一段时间，可在多孔金属基底B上、下表面生长具有高面密度负载量的垂直阵列碳纳米管。本发明在金属基底上、下表面同时生长高面密度负载量的垂直阵列碳纳米管具有离子电导率高、面密度可控的特点，同时该方法具有操作简单、
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115676806A
(43)申请公布日2023.02.03
(21)申请号202211021360.0
(22)申请日2022.08.24
(71)申请人西安交通大学
地址710049
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