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半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备.pdfVIP

半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备.pdf

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    本申请公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备，涉及半导体领域。该方法包括：在衬底上制备呈阵列分布的晶体管，每个晶体管包含沿垂直衬底方向延伸的硅柱；任意相邻的硅柱之间包括顶部水平面超过硅柱的第一硅介质，第一硅介质与每个硅柱之间形成多个第一腔体；在各第一腔体内形成与硅柱连接的第一导电触点。通过制备硅柱和第一硅介质形成第一腔体，从而填充第一导电材料形成第一导电触点，提高了导电触点的制备稳定性，降低导电触点的短路风险。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118076104A

    (43)申请公布日2024.05.24

    (21)申请号202410218253.X

    (22)申请日2024.02.28

    (71)申请人北京超弦存储器研究院

    地址10

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