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本发明提供一种非易失性的浮栅型快闪存储器及制造方法。该存储器的存储单元包括：衬底、源极区、漏极区、晶体管、顶部擦除栅极；晶体管包括选择晶体管、以及被配置在选择晶体管两侧的第一存储晶体管、第二存储晶体管。第一存储晶体管与第二存储晶体管关于选择晶体管的纵向中心线镜像设置，均依次包括第一栅间介电层、浮栅栅极、第二栅间介电层和第一控制栅极。第一存储晶体管与第二存储晶体管的浮置栅极均由中间的选择栅极侧墙工艺制备，上方尖端被顶部擦除栅包覆，这种结构利于存储器工作状态的尖端隧穿高效擦除操作。该快闪存储单元结构
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118076108A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410087926.2
(22)申请日2024.01.22
(71)申请人浙江大学
地址310030
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