TIAWBS-碳化硅晶片边缘轮廓检验方法.pdfVIP

ICS29.045（ICS国际标准分类号）

H80/84（中国标准文献分类）

团体标准

T/IAWBS×××-×××

代替T/IAWBS（替代号）

碳化硅晶片边缘轮廓检验方法

Testmethodsforedgecontourofsilicon

carbidewafers

征求意见稿

××××-××-××发布××××-××-××实施

中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布

T/IAWBSXXX—XXXX

目次

前  言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4方法提要1

5干扰因素1

6仪器设备1

7试样1

8测试程序1

9精密度3

10试验报告3

I

T/IAWBSXXX—XXXX

前  言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起

草规则》的规定起草。

请注意本文件中的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专

利的责任。

本文件由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟标委会归口。

本文件起草单位：北京天科合达半导体股份有限公司

本文件主要起草人：

本文件为首次制定。

II

T/IAWBSXXX—XXXX

碳化硅晶片边缘轮廓检验方法

1范围

本文件规定了碳化硅晶片边缘轮廓（包含切口）的检验方法。

本文件适用于检验倒角后碳化硅晶片的边缘轮廓（包含切口），其他材料晶片边缘轮廓的检验可参照

本标准执行。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文

件。

GB/T14264半导体材料术语

3术语和定义

GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件。

4方法提要

将碳化硅晶片放置在光源下，光源照在碳化硅晶片边缘，CCD相机将碳化硅晶片边缘（不包括参考

面）或切口的轮廓形状的图像导入电脑，进行二值化（即将图像上的像素点的灰度值设置为0或255，将整

个图像呈现出明显的黑白效果的过程）处理后，通过曲率及直线切点计算得出边缘轮廓长度。

5干扰因素

5.1空间中肉眼可见的颗粒、已倒角碳化硅晶片边缘的表面大颗粒，会掩盖晶片的轮廓形状，对测试结

果产生误差，因此应保证洁净的环境。

5.2碳化硅晶片的平整度会对测试结果产生误差。

5.3碳化硅晶片