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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的上表面形成金属硅化物阻挡层，金属硅化物阻挡层中含有氮元素；于金属硅化物阻挡层的上表面形成氮元素扩散阻挡层。本申请通过在金属硅化物阻挡层的上表面形成氮元素扩散阻挡层，在氮元素扩散阻挡层的上表面形成图形化光刻胶层时，可以避免金属硅化物阻挡层中的氮元素与图形化光刻胶层底部的化学物质产生反应而造成的“光阻中毒”现象，从而提高了图形化光刻胶层的质量以及图形化光刻胶层控制光刻尺寸的能力，提高了半导体结构的良率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118099090A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410188629.7

    (22)申请日2024.02.20

    (71)申请人上海积塔半导体有限公司

    地址2

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