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一种半导体器件的制备方法.pdfVIP

一种半导体器件的制备方法.pdf

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    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，应用于半导体制造技术领域。在本发明中，通过在对连通的控制栅层、层间介质层及浮栅层的刻蚀工艺之后，先增加一步沉积工艺，以通过在相邻闪存单元之间的凹槽内侧壁上形成牺牲层的方式，避免上一步刻蚀工艺所造成的浮栅侧墙与其下方的控制栅层之间存在厚度台阶差，即利用形成的牺牲层填平所述厚度台阶差，之后再增加一步刻蚀工艺，以去除多余的牺牲层，保证了形成的浮栅侧墙的形貌完整，进而保证了后续形成的控制栅侧墙的形貌完整，即避免了后续形成的控制栅侧墙发生断裂、存储位内部形成空洞以及在

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118102719A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410232500.1

    (22)申请日2024.02.29

    (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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