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本发明提供一种基于碳化硅的富碳P型欧姆接触结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一P型碳化硅衬底；形成富碳结构于所述P型碳化硅衬底的上表面；形成金属层于所述P型碳化硅衬底的上表面，所述金属层覆盖所述富碳结构；进行退火以使所述金属层与富碳结构反应形成合金层，所述合金层包括金属硅化物、金属碳化物及石墨层。本发明通过在P型碳化硅衬底及金属层之间形成富碳结构以形成金属‑碳‑碳化硅结构，后续通过金属硅化退火步骤实现P型碳化硅欧姆接触，整体制作方法中温度范围较低，且制作方法较为灵活，能够有效避免形成欧姆接触时
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098944A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202211492706.5
(22)申请日2022.11.25
(71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术
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