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本发明公开了一种基于SOI工艺的斩波仪表放大器电路,属于集成电路领域。本发明包括斩波调制开关和运算放大器，所述斩波调制开关由SOINMOS器件和SOIPMOS器件组成，本发明采用部分耗尽SOI器件进行MOS器件的制备，容易调整MOS器件的阈值电压，工艺可操作性高，同时部分耗尽SOI器件在抑制短沟效应和抑制沟道泄漏电流方面有更卓越的表现，在实现多阈值电压和制作体接触方面也体现了充分的便利性。且SOICMOS的工艺步骤相比体硅CMOS的工艺步骤简单，提高电路的稳定增益和精度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115118238A
(43)申请公布日2022.09.27
(21)申请号202110309835.5
(22)申请日2021.03.23
(71)申请人北京大学
地址100871北京
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