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2024-05-29 发布于四川
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一种功率器件，包括：衬底；在衬底上形成的外延层；在外延层上形成多个元胞区沟槽；在元胞区沟槽内形成有源极多晶硅和栅极多晶硅；在多个元胞区沟槽的外侧，还形成有终端沟槽，终端沟槽内形成有源极多晶硅；在元胞区沟槽(1)之间以及在元胞区沟槽与终端沟槽之间的外延层上形成有体区；在体区上形成有高掺杂层；位于元胞区沟槽与终端沟槽之间的高掺杂层，经过接触孔引出金属后，与元胞区沟槽内的栅极多晶硅串联，然后再与终端沟槽的金属相连后接地。上述功率器件有效的解决了现有技术中功率器件失效易发生在终端区的问题，提高功率器件的

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099211A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410137807.3

(22)申请日2024.01.30

(71)申请人深圳利芯威科技有限公司

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