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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：注入第一掺杂离子至衬底，于所述衬底内形成第一掺杂区，位于所述第一掺杂区外周的所述衬底作为外围区；采用干氧氧化工艺推进处理所述衬底，形成覆盖所述第一掺杂区和所述外围区的第一氧化层；去除所述第一氧化层，暴露所述第一掺杂区和所述外围区；形成位于所述衬底上的介质层，所述第一掺杂区上的所述介质层的顶面与所述外围区上的所述介质层的顶面平齐。本发明减小了第一掺杂区的顶面与所述外围区的顶面之间的高度差，提高了后续在所述衬底上形成的介质层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098953A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410257306.9
(22)申请日2024.03.06
(71)申请人上海积塔半导体有
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