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本文提供了用于等离子体处理基板的方法和设备。所述方法包括以下步骤：从RF电源供应RF功率；在RF电源处测量在第一功率水平下的反射功率；将测量的反射功率与第一阈值比较；将比较的结果传输到控制器；基于在第一功率水平下测量的反射功率与第一阈值的比较，将至少一个可变电容器设置到第一位置；从RF电源供应第二功率水平的RF功率以用于等离子体处理基板；在RF电源处测量在第二功率水平下的反射功率；将在第二功率水平下测量的反射功率与第二阈值比较，第二阈值不同于第一阈值；传输比较的结果；在匹配网络处将至少一个可变电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118103945A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202280069747.5(74)专利代理机构上海专利商标事务所有限公
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