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改善CIS白色像素的结构及其制造方法.pdfVIP

改善CIS白色像素的结构及其制造方法.pdf

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    本发明公开了一种本发明提供的改善CIS白色像素的结构，金属前介质层覆盖在形成有CIS器件的半导体衬底表面上，接触孔穿过金属前介质层。金属前介质层的顶部表面之上为后道工艺层，后道工艺层包括多层正面金属层和金属间介质层。像素区中白色像素的金属杂质是从正面金属层穿过金属前介质层扩散到半导体衬底表面形成，金属前介质层的结构参数设置为使金属杂质在金属前介质层中的最大扩散长度小于金属前介质层的厚度，从而降低白色像素。本发明还公开了一种改善CIS白色像素的结构的制造方法。本发明能减少后道工艺的金属杂质污染形成

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118099176A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410184187.9

    (22)申请日2024.02.18

    (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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