原创力文档- 0
- 0
- 约1.11万字
- 约 12页
- 2024-05-29 发布于四川
- 举报
本发明涉及一种自清洁流量芯片的制作工艺。本发明包括提供衬底；制作支撑结构层；制作铂薄膜层；形成铂热电阻丝层；沉积一层第一氧化硅层；制作上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶以及中心热源；制作上游测温元件热电堆上层热电偶和下游测温元件热电堆上层热电偶；制作连接导线；所述铂热电阻丝层分别形成于靠近上游测温元件热电堆下层热电偶、下游测温元件热电堆下层热电偶各自冷端下方。本发明能够实现对测温元件敏感区的自清洁处理，从而保证下次使用时的精度不受影响。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118102842A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410508848.9G01F1/69(2006.01)
文档评论（0）