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本发明公开了集成平面型沟道二极管的碳化硅MOSFET，该平面型沟道二极管反并联在沟槽型碳化硅MOSFET两个相邻元胞之间，通过设置合理的平面栅氧化层厚度和沟道二极管的沟道长度，能够使得沟道二极管的开启电压远小于体二极管，在碳化硅MOSFET开关过程中，集成的平面型沟道二极管会以较小的电压开启，提高了开关频率，减小开关损耗，并且集成的沟道二极管与体pin二极管相比，显著提升了器件的反向恢复特性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099189A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410229827.3
(22)申请日2024.02.29
(71)申请人西安理工大学
地址710048
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