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本申请涉及一种化学机械抛光后调配物及其使用方法。本发明揭示一种用于从上面具有化学机械抛光CMP后残余物及污染物的微电子装置清除所述残余物及污染物的清洁组合物及方法。所述清洁组合物基本上没有碱金属氢氧化物、碱土金属氢氧化物及四甲基氢氧化铵。所述组合物实现了在不危害低k电介质材料或铜互连材料的情况下从所述微电子装置的表面高效地清除所述CMP后残余物及污染物材料。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118085973A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410234576.8(51)Int.Cl.
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