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本发明公开了一种更小线宽的光刻工艺，使用光刻机在晶圆表面进行曝光并形成曝光图形；第一次旋涂化学缩放胶，通过加热使其与第一层胶发生化学反应；使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，获得第一次缩放后的图形；第二次旋涂化学缩放胶，通过加热使其与第一层胶发生化学反应，再次使用清洗的方法将不参加反应的化学缩放胶去除，完成第二层化学缩放过程，进一步缩小曝光图形尺寸；根据所需要目标图形尺寸以及设计需求，确定化学缩放次数。本发明采用光刻和多次化学缩放工艺相结合的技术方案，有效的提升光刻机的分辨率，从而实现低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111986988A
(43)申请公布日2020.11.24
(21)申请号202010390587.7
(22)申请日2020.05.11
(71)申请人中电国基南方集团有限公司
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