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公开了一种半导体器件及其制造方法。通常，该方法包括在衬底的表面上方形成存储晶体管的隧道电介质，在隧道电介质上方形成氮化物电荷俘获层，以及在衬底表面上方形成场效应晶体管的栅极电介质。形成栅极电介质可以包括执行多个氧化工艺以形成厚栅极氧化物，同时在存储晶体管的电荷俘获层上方形成包括氧化物层的阻挡电介质。在一个实施方式中，执行氧化工艺包括执行原位蒸汽生成工艺以形成厚栅极氧化物和阻挡电介质的氧化物层，随后执行热氧化工艺以增加厚栅极氧化物和氧化物层的厚度，而不改变从隧道电介质至阻挡电介质的电荷俘获层的厚度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118103949A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202280061785.6(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限
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