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本发明属于金属提纯技术领域，尤其涉及一种杂质合金化区域熔炼制备高纯锗的方法，包括：将待提纯锗料和载料舟体进行表面杂质脱除，获得预处理后的待提纯锗料和载料舟体；将预处理后的待提纯锗料投入混料炉中，并向其中添加金属添加剂，经高温下均质处理后，浇铸成锗锭；将锗锭装入预处理后的载料舟体中，并一同装入区熔炉内指定位置，在确保区熔炉管道良好的气密性、真空度和氢气气氛的情况下，进行区域熔炼处理；待区域熔炼结束后，炉内温度降至室温，并排空炉内石英管内残留氢气，取出锗区熔产物，切除首尾两端，获得高纯锗。本发明的锗
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118086698A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410249763.3
(22)申请日2024.03.05
(71)申请人中南大学
地址410083
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