一种利用硅粉制备拉单晶用高纯硅的方法.pdfVIP

一种利用硅粉制备拉单晶用高纯硅的方法.pdf

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本发明属于硅的资源再生技术领域,具体公开了一种利用硅粉制备拉单晶用高纯硅的方法。本发明先采用金属纳米颗粒辅助刻蚀硅粉,得到多孔硅粉;然后将得到的多孔硅粉进行酸洗处理,得到多孔高纯硅粉;再将得到的多孔高纯硅粉进行真空定向凝固,获得拉单晶用高纯硅。本发明创新性的提出通过金属纳米颗粒辅助刻蚀法在硅切割废料内部构造多孔结构,使内部的杂质充分暴露,便于后续充分除杂;通过真空定向凝固,可以有效使夹层中的残留杂质得到深度去除,减少工艺流程的同时并获得拉单晶用高纯硅;克服了传统火法熔炼中二次氧化等问题,实用性强

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118087020A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410164716.9

(22)申请日2024.02.05

(71)申请人昆明理工大学

地址650093

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