一种NIP型光敏元件及其制造方法、光敏探测器.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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一种NIP型光敏元件及其制造方法、光敏探测器.pdf

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本申请提供一种NIP型光敏元件及其制造方法、光敏探测器，本申请的NIP型光敏元件去除衬底表面的氧化环，在芯片表面采用ALD技术生长一层钝化层，该钝化层为内部存在固定负电荷的材料层，例如Al2O3层。由于其内部存在固定的负电荷因此能够较好地屏蔽可动金属离子，由此在钝化层覆盖的I型层区域的表面将感应出正电荷。一方面，该感应正电荷很好地截止了N型层至芯片侧壁的通道，起到截止漏电的效果；另一方面，该感应正电荷与钝化层内的负电荷形成了一个自半导体层指向钝化层的电场，可有效屏蔽光生载流子向半导体表面的扩散，

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099259A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410225712.7

(22)申请日2024.02.28

(71)申请人天津三安光电有限公司

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