一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始数据，对初始数据进行数据处理；S2、采用遗传算法对Transformer模型的超参数进行优化，构建GA‑Transformer模型；S3、将S1获取的数据输送至S2获取的GA‑Transformer模型中，依据性能指标评估预测的准确性，并对剩余使用寿命RUL进行预测，输出可靠性预

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118095182A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410177294.9G06F119/02(2020.01)

(22)申请日2024.02

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