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本发明属于电子陶瓷材料技术领域,具体涉及一种MgF2掺杂改性的CZP陶瓷材料及其制备方法与应用。本发明以具有负热膨胀系数、低介电常数的CZP陶瓷材料为基础,通过掺杂MgF2来改善CZP陶瓷的烧结性能,通过不同的掺杂量,在1000℃~1100℃较低温度下烧结致密化,使得改性后的CZP陶瓷材料的热膨胀系数CTE在2.9×10‑6/℃~5.87×10‑6/℃、介电常数为5.63~9.19、杨氏模量为40GPa~147Gpa。本发明提供了一种低介电常数、近硅的低热膨胀系数、较高机械强度、致密度良好的CZ
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118084477A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410061472.1
(22)申请日2024.01.16
(71)申请人电
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