专题07 带电粒子在复合场中的运动 【练】(原卷版) .docxVIP

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  • 2024-06-01 发布于天津
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专题07 带电粒子在复合场中的运动 【练】(原卷版) .docx

专题07带电粒子在复合场中的运动

一、单选题

1.(2022·河北邯郸·二模)如图所示,氕、氘、氚三种核子分别从静止开始经过同一加速电压(图中未画出)加速,再经过同一偏转电压偏转后进入垂直于纸面向里的有界匀强磁场,氕的运动轨迹如图。则氕、氘、氚三种核子射入磁场的点和射出磁场的点间距最大的是()

A.氕 B.氘 C.氚 D.无法判定

2.(2022·北京·清华附中模拟预测)半导体芯片制造中,常通过离子注入进行掺杂来改变材料的导电性能。如图是离子注入的工作原理示意图,离子经电场加速后沿水平方向进入速度选择器,通过速度选择器的离子经过磁分析器和偏转系统,注入水平面内的晶圆(硅片)。速度选择器中的电场强度的大小为E、方向竖直向上。速度选择器、磁分析器中的磁感应强度方向均垂直纸面向外,大小分别为B1、B2。偏转系统根据需要加合适的电场或者磁场。磁分析器截面的内外半径分别为R1和R2,入口端面竖直,出口端面水平,两端中心位置M和N处各有一个小孔;偏转系统下边缘与晶圆所在水平面平行,当偏转系统不加电场及磁场时,离子恰好竖直注入到晶圆上的O点(即图中坐标原点)。整个系统置于真空中,不计离子重力及其进入加速电场的初速度。下列说法正确的是()

A.可以利用此系统给晶圆同时注入带正电离子和带负电的离子

B.从磁分析器下端孔N离开的离子,其比荷为

C.如果偏转系统只加沿x轴正方向的磁场,则离子会注

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