1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置.pdfVIP

  • 8
  • 0
  • 约1.18万字
  • 约 11页
  • 2024-05-29 发布于四川
  • 举报

一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置.pdf

    本发明涉及一种液相外延法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置，在碳源料仓内放置碳源，在生长仓内放置硅源，将籽晶贴附于籽晶轴一端处并伸入到生长仓内，加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质碳，加热生长仓使硅源形成熔融态，将气态单质碳传输至生长仓内与熔融态硅源反应形成具有过饱和区的生长溶液，通过移动籽晶轴控制籽晶浸入生长溶液的过饱和区中进行长晶。本发明的制备方法能够将充足的气态单质碳输送至生长仓，保证生长仓中始终有充足的碳源，使得生长仓中的原料始终保持相同的碳浓度，从而使生长仓中的溶液组分保持均匀性，提高碳源

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118087029A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410308992.8

    (22)申请日2024.03.18

    (71)申请人厦门福纳新材料科

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >