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本发明公开一种超高分辨率纳米光源器件的制备方法,包括第一步、通过纳米线转移技术或采取光刻、刻蚀及纳米线直接生长技术,在绝缘衬底上制备底层导电纳米线阵列通道,在通道一端沉积底层金属电极;第二步、通过旋涂法制备功能发光材料薄膜作为纳米LED光源;第三步、通过转移法在功能发光材料上覆盖与底层导电纳米线阵列交叉的顶层导电纳米线阵列,并定义顶层金属电极区域,第四步、对制备的发光器件进行引线焊接及封装保护以提高稳定性。本发明提出了全新的可高密度集成的新型纳米光源显示技术,可实现25400PPI的超高空间分
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099181A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410219467.9C23C14/14(2006.01)
(22)申请日2024.02.
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