半导体装置及其制造方法和电子设备.pdfVIP

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本发明提供一种能够应用于芯片级封装型固态成像装置的半导体装置及其制造方法和电子设备,其能够减小在内部电极与基板硅之间产生的寄生电容,从而抑制高频信号的波形失真和信号延迟,从而实现高速运行。一种构造包括:基板硅;氧化硅膜,其层叠在基板硅上;配线层间膜,其具有内部电极并层叠在氧化硅膜上;贯通孔,其形成台阶孔,台阶孔具有从基板硅延伸到氧化硅膜的大径孔和从氧化硅膜延伸到内部电极的小径孔;层间绝缘膜,其层叠在大径孔的周侧面上以及基板硅上;和再配线,其形成在贯通孔的内周面上以及层间绝缘膜上,并连接到内部电极

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118103961A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202280068463.4(74)专利代理机构北京信慧永光知识产权代理

(22)申请日2022.09.

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