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2024-05-29 发布于四川
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一种基于自终止刻蚀工艺的增强型器件及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于自终止刻蚀工艺的增强型器件及其制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底层的表面自下而上依次形成成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和GaN层，势垒层含有Al离子；S2：对栅极区域外的GaN层进行F离子注入，形成F离子注入层；S3：对F离子注入层进行刻蚀，当刻蚀到F离子注入层和势垒层的界面处时，F离子和Al离子在势垒层的表面形成AlF3保护层；S4：去除AlF3保护层以露出势垒层；本发明通过形成F离子注入层，刻蚀过程中，势垒层表面形成AlF3保护层，从而实现自终止效果，避免刻蚀对沟道中的二

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118098965A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410163793.2

(22)申请日2024.02.05

(71)申请人西安电子科技大学芜湖研究院

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