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本发明公开了一种高光效LED外延片及其制备方法、高光效LED，涉及半导体技术领域。所述LED外延片的有源层包括周期性交替层叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括第一量子阱子层、第二量子阱子层、第三量子阱子层和第四量子阱子层；所述有源层包括依次层叠的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层，所述第一超晶格层中的第一量子阱子层为N型掺杂层；所述第三超晶格层中的第四量子阱子层为P型掺杂层。本发明的结构能够提高量子阱层晶体质量，降低量子阱层极化效应，提高载流子在量子阱辐射复合效率，从而提升发光
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099307A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410278144.7
(22)申请日2024.03.12
(71)申请人江西兆驰半导体有限公司
地址3
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