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本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括：衬底，其上形成有栅介电层，栅电介电层一侧的衬底中形成有场氧，场氧与栅介电层接触；栅极，其形成于栅介电层和场氧上；衬底中形成有第一阱区、第二阱区、第一重掺杂区、第二重掺杂区和第三重掺杂区，第一阱区包括多个不接触的子区域，多个子区域包括第一子区域、第二子区域以及位于第一子区域和第二子区域之间的至少两个分段区域，第一重掺杂区位于第一子区域中，第二阱区位于第二子区域中，第二重掺杂区和第三重掺杂区位于第二阱区中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099216A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410225482.4
(22)申请日2024.02.29
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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