沟槽栅器件的自对准接触孔结构及其制造方法.pdfVIP

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2024-05-29 发布于四川
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沟槽栅器件的自对准接触孔结构及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种沟槽栅器件的自对准接触孔结构，沟槽栅的顶部形成有填充于由栅极导电材料层的材料层围成的第一沟槽中的第一介质层，第一介质层的突出栅极沟槽的顶部表面之上的部分组成第一凸起结构，在第一凸起结构的侧面形成有由层间膜自对准刻蚀形成的第一侧墙，第一接触孔开口由相邻的栅极沟槽之间的平台区的顶部的两个第一侧墙自对准定义，第一接触孔开口的底部部分进入到第一外延层中并需要引出的掺杂区的表面暴露出来。第一接触孔由填充于第一接触孔开口中的金属组成。本发明还公开了一种沟槽栅器件的自对准接触孔结构的制造方法。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099197A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410225488.1

(22)申请日2024.02.29

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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