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2024-05-29 发布于四川
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深孔外延填充的方法及深孔外延结构.pdf

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本申请提供一种深孔外延填充的方法及深孔外延结构，其中在外延填充方法中，先采用选择性生长工艺在深孔中形成一定厚度的第二外延层；然后刻蚀部分第二外延层以修正深孔形貌；接着降低工艺腔室中的压力，以使工艺腔室内外产生压差来抽除深孔中残留的刻蚀气体，并重复上述三步至少八次，可以在每次刻蚀修正深孔形貌之后，将刻蚀气体采用低压完全抽出，避免了深孔底部残留刻蚀气体从而消耗下一次沉积步骤中的硅源气体的情况，对深孔形貌起到了很好的保护作用。进一步的，重复沉积‑刻蚀‑低压抽除刻蚀气体的步骤至少八次，可以避免深孔提前封

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099178A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410185934.0

(22)申请日2024.02.19

(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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