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2024-05-29 发布于四川
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高压完全隔离型LDMOS器件及其制造方法.pdf

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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及高压完全隔离型LDMOS器件及其制造方法，包括第一掺杂类型半导体基底层、位于第一掺杂类型半导体基底层中的第二掺杂类型埋层和形成于第二掺杂类型埋层上的第一掺杂类型外延层，第二掺杂类型埋层的表层形成器件结构；器件结构外周的第一掺杂类型外延层中形成第一深沟槽隔离环，第一深沟槽隔离环包括第一深沟槽、填充在第一深沟槽中的第二掺杂类型多晶硅和覆盖第一深沟槽两侧内壁上的第一隔离氧化层；第一深沟槽延伸至第二掺杂类型埋层中，第二掺杂类型多晶硅的底端与第二掺杂类型埋层接

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099213A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202410186141.0

(22)申请日2024.02.19

(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司

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