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本发明涉及一种氧化镓MOSFET及其制备方法，属于MOSFET器件技术领域。该氧化镓MOSFET，包括衬底、N型氧化镓导电层、N型重掺杂源区、N型重掺杂漏区、AlGaO晶体介质层、源极金属、漏极金属、栅极金属。本发明的氧化镓MOSFET是以AlGaO晶体介质层作为栅介质层，AlGaO晶体介质层的空位缺陷和表面悬挂键更少，所以能显著降低了栅介质层与氧化镓界面的缺陷，使得浅能级界面缺陷最低达到了1.73×1010cm‑2eV‑1。从而解决了存在的“栅介质层与氧化镓沟道层接触界面缺陷密度较高，从而导致
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099220A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410356202.3
(22)申请日2024.03.27
(71)申请人西安电子科技大学杭州研究院
地
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