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2024-05-29 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，衬底内具有导电层，且衬底暴露出导电层的顶部表面；在衬底上形成介质层，介质层内具有插塞开口，插塞开口暴露出导电层的部分顶部表面；在插塞开口的侧壁形成修复层；在形成修复层之后，采用选择性金属生长工艺在导电层上形成导电插塞，导电插塞填充满插塞开口。通过在插塞开口的侧壁形成修复层，利用修复层将插塞开口侧壁的缺陷进行覆盖，使得在采用选择性金属生长工艺形成导电插塞的过程中，选择性金属生长的前驱气体不会在插塞开口的侧壁进行附着生长，进而减少因插塞开口过早

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118099086A

(43)申请公布日2024.05.28

(21)申请号202211490751.7

(22)申请日2022.11.25

(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限

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