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本申请提供一种用于高性能电光调制器的铌酸锂复合薄膜的制备方法，所述制备方法包括获取第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括键合连接的第一支撑层和隔离层，所述第二衬底包括键合连接的缺陷层和第二支撑层；将所述第一衬底和所述第二衬底进行键合连接，得到目标衬底雏样；对所述目标衬底雏样进行去第二支撑层处理，得到目标衬底；将所述目标衬底与压电薄膜进行键合连接并进行减薄处理，得到复合薄膜。本申请通过上述制备方法将高厚7‑25微米隔离层和缺陷层P‑Si键合起来，形成具有缺陷层的高厚度隔离层衬底。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118091994A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410236409.7
(22)申请日2024.03.01
(71)申请人济南晶正电子科技有限公司
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