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本发明公开了一种具有谷极化自旋耦合层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间以及有源层与下波导层之间具有谷极化自旋耦合层，所述谷极化自旋耦合层的厚度为5～5000埃米，所述谷极化自旋耦合层的电子具有双重谷自由度形成净谷磁化，在电场作用下可增强谷霍尔效应电流，增强有源层电子空穴注入效率和载流子分布均匀性。本发明谷极化自旋耦合层注入自旋极化载流子形成室温下较强的谷极化率和表面极化场，诱导增强有源层的量子产率和降低谷激子结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099937A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410093015.0
(22)申请日2024.01.23
(71)申请人安徽格恩半导体有限公司
地址2
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