单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池的工作原理及区别1讲课讲稿.docx

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单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池的工作原理及区分1

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单晶硅、多晶硅、非晶硅、薄膜太阳能电池的工作原理及区分

硅太阳能电池的外形及根本构造如图1。其中根本材料为P型单晶硅,厚度为0.3—0.5mm左右。上外表为N+型区,构成一个PN+结。顶区外表有栅状金属电极,硅片反面为金属底电极。上下电极分别与N+区和P区形成欧姆接触,整个上外表还均匀掩盖着减反射膜。

当入放射光照在电池外表时,光子穿过减反射膜进入硅中,能量大于硅禁带宽度的光子在N+区,PN+结空间电荷区和P区中激发出光生电子——空穴对。各区中的光生载流子假设在复合前能越过

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