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一种物理气相传输法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置.pdfVIP

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  • 2024-05-29 发布于四川
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一种物理气相传输法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置.pdf

    本发明涉及一种物理气相传输法制备碳化硅晶体的方法及其制备装置，在碳源料仓内放置碳源，在硅源料仓内放置硅源，在长晶室内安装籽晶，加热碳源料仓使碳源升华产生气态单质碳，将气态单质碳传输至硅源料仓内与硅源料仓内的硅源反应生成碳化硅原料气，而后将碳化硅原料气传输至长晶室进行长晶。本发明的制备方法能够将充足的气态单质碳输送至硅源料仓，同时还能及时将硅源料仓中生成的碳化硅原料气传送至长晶室，硅源料仓中始终保持充足的硅源，使得硅源料仓中的原料始终保持相同的碳化程度，从而使硅源料仓和长晶室中的气相组分保持均匀性

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118087033A

    (43)申请公布日2024.05.28

    (21)申请号202410308723.1

    (22)申请日2024.03.18

    (71)申请人厦门福纳新材料科技有限公司

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