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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

半导体装置及其制造方法.pdf

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    本技术涉及一种使得可形成MIM电容元件而没有引起工艺损伤的半导体装置及其制造方法。该半导体装置通过将形成在第一半导体基板中的第一多层布线层的布线层和形成在第二半导体基板中的第二多层布线层的布线层经由晶片键合而键合在一起而配置，并且该半导体装置设置有上电极、下电极和电容元件，该电容元件包括在上电极和下电极之间的电容绝缘膜。上电极和下电极中的一个电极包括第一多层布线层的第一导电层和第二多层布线层的第二导电层。例如，本技术可应用于通过将两个半导体基板键合在一起而配置的半导体装置。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111448649A

    (43)申请公布日

    2020.07.24

    (21)申请号20188

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