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本公开涉及在高NAEUV曝光的拼合区域引入明场成像的方法和系统。第一明场掩模板和第二明场掩模板用于双重曝光EUV光刻工艺，其中，第一和第二掩模板的曝光区域重叠。第一和第二掩模板各自分别包括：衬底、衬底上的反射多层、反射多层上的吸收材料的主图案、黑色边界区域、以及黑色边界与主图案之间的吸收材料的附加吸收区域。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118092077A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202311092642.4
(22)申请日2023.08.28
(30)优先权数据
63/480,9262023
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