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本发明实施方式公开了一种片上电感结构和集成电路。该片上电感结构，所述片上电感结构形成于集成电路之中，集成电路至少包括：衬底以及位于衬底上的多个依次层叠的金属层，其特征在于，片上电感结构包括：由远离衬底的，两个或者多个金属层的金属互连线构成的主体线圈；由位于接近衬底的金属层形成的屏蔽层；位于屏蔽层和衬底之间的反偏层，用于形成反偏PN结；隔离环；主体线圈、屏蔽层以及反偏层被环绕在隔离环内。通过上述方式，本发明实施方式利用顶层金属增大金属和衬底之间的距离，降低了电感和衬底之间的电容耦合，并设置了阱于衬
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118098790A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202410226843.7H01F27/36(2006.01)
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