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本公开提供了一种半导体结构及其制作方法、芯片封装结构及电路模组，半导体结构包括基底、第一柱状导电插塞和第一环状导电插塞，其中，沿基底的厚度方向，第一柱状导电插塞和第一环状导电插塞贯穿基底；第一环状导电插塞套设于第一柱状导电插塞的外部，沿第一柱状导电插塞的周向方向，第一柱状导电插塞与第一环状导电插塞构成第一去耦电容器。通过在基底的第一柱状导电插塞的外部套设第一环状导电插塞，当两者分别连接电源端和接地端后，沿第一柱状导电插塞的周向方向，第一柱状导电插塞与第一环状导电插塞构成一个形成于基底内部的第一去
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118099084A
(43)申请公布日2024.05.28
(21)申请号202211439151.8
(22)申请日2022.11.17
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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